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AMD下一代Ryzen 7000-3D 处理器正在路上,有望提供比前代产品更高的频宽

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据半导体工程专家 Tom Wassick 所言,AMD Ryzen 7000 处理器似乎得到了一些升级,以便为为即将推出的 3D V-Cache 型号做准备。

AMD 在 Zen 3 处理器上推出了采用 3D V-Cache 技术的 Ryzen 7 5800X3D CPU,为 CPU 的每个 CCD 带来额外的 64MB 7nm SRAM 快取,使 L3 Cache 容量由 32MB 大幅上升到 96MB。看来 AMD 在接下来的 Zen 4 架构仍然会选择这么做,

Wassick 在 Zen 4 CCD 中发现了更多的 TSV 列,这表明这次新款Ryzen 7000 处理器的 3D 快取型号在硬体上可以提供比 Ryzen 7 5800X3D 更多的频宽。

矽穿孔(Through Silicon Vias,TSV)是一种穿透矽晶圆或晶片的垂直互连。TSV 是一种让3D IC封装遵循摩尔定律(Moore's Law)的互连技术,TSV可堆叠多片晶片,其设计概念来自于印刷电路板(PCB), 在晶片钻出小洞(制程又可分为先钻孔及后钻孔两种, Via First, Via Last),从底部填充入金属, 矽晶圆上以蚀刻或雷射方式钻孔(via),再以导电材料如铜、多晶矽、钨等物质填满。此一技术能够以更低的成本有效提高系统的整合度与效能。

 

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据称,在 Ryzen 7000 晶片上有两个更大、更密集的 TSV 阵列,并且有一些间距减小 —— 以及额外的 TSV 列。这意味着Ryzen 7000 3D V-Cache 的基板将与 CPU 有更多的接触区域,导致更大的 L3 快取频宽和可能的额外功率。

3D V-Cache 是 AMD 推出的一种堆叠 L3 快取的技术,通过在 Ryzen 的 CCD 上增加 64MB 的 SRAM 快取,从而将其晶片上的 L3 快取翻倍,进而显著提高了那些对于 L3 快取敏感的工作负载的实际表现,尤其是游戏。

AMD 目前发布的唯一一款针对消费者的 3D V-Cache 晶片是 R7 5800X3D,该晶片共有 96MB 的 L3 快取。

对于上述Ryzen 7000 中额外的 TSV 触点,这代表 AMD 正为其第二代堆叠快取准备更高的频宽性能,甚至超过Ryzen R7 5800X3D 的 2Tbps 频宽。

简单来说,这些额外的 TSV 并不能代表 AMD 下一代 3D V-Cache 性能将如何,或者它一定比 5800X3D 或Ryzen 7000 普通型号好多少,只是有可能意味着Ryzen 7000X3D 将带来比 7 5800X3D 更高的频宽。

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